二硫化钼晶体由于其特殊的原子层结构,而具有良好的润滑性与抗压耐磨性,通常被用作固体润滑剂。然而,随着层数的减少,单层二硫化钼薄膜(SLMoS2)呈现出直接带隙的半导体电学特性,这使其被认为是取代传统硅的新一代候选材料之一。虽然单层二硫化钼具有独特的电子和电学性质与广泛的应用前景,但关于单层二硫化钼力学性能的研究还较为缺乏,特别是含固有缺陷的情况。本文主要通过经典分子动力学方法分别研究无缺陷与含单硫缺失(Vs)情况的单层二硫化钼纳米压痕行为的力学性能。主要工作如下:采用具有均匀双轴拉伸特性的边界固定的圆形单层二硫化钥薄膜,以充分模拟其纳米压痕实验状态。通过分别对其弹性与塑性变形部分的加卸载试验获得单层二硫化钼的变形破坏机理,我们在其失效前观察到由S-S层内尺寸的突然下降引起的相变;另外,采用不同尺寸的球状压头与不同的压头加载速度模拟单层二硫化钼的力学性能,发现单层二硫化钥的最大应力与杨氏模量均随着压头直径的增加而增加;而压头加载速度越快,最大载荷与相应的临界压痕深度越急剧增大。随后,我们将单层二硫化铝制备过程中最常见的Vs空穴缺陷引入单层二硫化钼纳米压痕模型中,探索结构缺陷对其力学性能的影响。研究发现相变从远离薄膜中心处的累积空穴开始并加速新相的传播过程,同时最大载荷随Vs空穴缺陷浓度的增加而呈递减趋势;此外,我们发现顶层单硫原子缺失对单层二硫化钼的面内弹性刚度具有反常增强效应,底层单硫原子缺失则显现相反的弱化效应;而双硫原子缺失显示的持续弱化趋势相比底层单硫原子缺失情况的趋势要慢。此外,我们通过分子动力学模拟具有约束边界条件的单层二硫化钼薄膜的热波动现象。通过对不同尺寸的矩形与圆形纳米片在不同的边界约束条件下进行模拟,探索了长宽比,边界条件的类型和形状以及手性对波纹属性的影响。结果表明,所有单层二硫化钼薄膜的波动高度均随温度的增加而增加,这与膜的弹性理论一致。对于矩形单层二硫化钼薄膜,长宽比对矩形单层二硫化钼薄膜的波纹的振动模式具有主要影响,边界条件对矩形单层二硫化钥膜的振动模式和波动高度影响较小,而大部分手性效应集中体现在细长单层二硫化钼纳米带的波纹高度上。对于圆形单层二硫化钼薄膜,我们在其热波动现象中观察到与石墨烯纳米带振动模式不同的高阶共振模式的原子构型。