本文以研究SiC单晶的缺陷腐蚀与显示技术以及电参数测试技术为目的,采用腐蚀.扫描电镜.光学显微镜等技术对6H-SiC单晶的位错和微管缺陷形成机理以及显示进行研究,其主要形成机理可以分别用基本螺位错和空芯螺位错来解释。对6H-SiC单晶的欧姆接触电极制备也做了一定的探讨,对于SiC单晶Au/NiCr更适合做为欧姆接触的材料,并从理论上分析了原因。测试了国产和从美国Cree公司购买的n型6H-SiC低温下的电学参数,包括电阻率、迁移率和自由载流子浓度,并用FCCS软件数据拟合分析得到两种SiC的杂质浓度和能级。实验结果表明,杂质浓度和补偿度对低温下的SiC电性能有很大影响,轻度补偿的掺氮6H-SiC是施主氮的两个能级共同起作用,而重度补偿的6H-SiC在低温时则是受主能级起作用,并且后者迁移率随温度变化曲线的峰值降低和右移。同时发现重度补偿的SiC在较低温度时由n型转变成了p型,并从理论上分析了产生这种现象的原因。研究发现SiC与传统半导体材料,比如硅,锗在低温时能级和导电性能的不同,对于实现SiC更广泛的实际应用有重大的意义。