【摘 要】
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新型准一维纳米材料具有优异的场发射特性，在场发射显示器(FED)，微波器件和传感器等真空微电子器件中有重要的应用前景。本论文主要研究了氧化钨(WO3-x和WO3)纳米材料场发射的
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新型准一维纳米材料具有优异的场发射特性，在场发射显示器(FED)，微波器件和传感器等真空微电子器件中有重要的应用前景。本论文主要研究了氧化钨(WO3-x和WO3)纳米材料场发射的光效应和热效应。利用自行设计的实验装置，我们分别研究了光和热对几种氧化钨纳米材料场发射的影响，同时还测量了氧化钨纳米线的光电导。发现三氧化钨(WO3)纳米线的场发射电流随着温度的升高而增大。而对于氧化钨(WO3-x)纳米棒束，发现加热处理前的吸附对场发射特性有影响，在经过加热后，其场发射特性随温度变化很小。此外，发现光照下，氧化钨(WO3-x)纳米线的电导率增加。利用扫描电子显微镜，变温x射线衍射，变温拉曼光谱等对纳米线的结构进行了表征，并据此对观测到的场发射热和光效应进行了初步的解释。
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