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该文主要研究具有厚漂移区的新型垂直结构功率半导体器件及其电路仿真模型的建模问题.该文采用拉普拉斯变换进行了双极扩散议程的求解,然后运用AWE方法对漂移区进行建模,并籍此给出了PIN二极管,静电感应晶闸管(SITh)和静电感应晶体管(SIT)的PSPICE子电路模型.
具有厚漂移区功率半导体器件电路仿真模型的研究
【摘 要】
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该文主要研究具有厚漂移区的新型垂直结构功率半导体器件及其电路仿真模型的建模问题.该文采用拉普拉斯变换进行了双极扩散议程的求解,然后运用AWE方法对漂移区进行建模,并籍
【机 构】
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上海交通大学
【出 处】
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上海交通大学
【发表日期】
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2001年期
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