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在较低温度下实现气相外延沉积在制备pn结方面具有巨大的应用潜力，本文探索了采用射频等离子辅助化学气相沉积法（RF-PECVD）在基片温度200oC低温条件下进行掺杂硅薄膜的气相外延的可行性，并研究了快速热处理法（RTP）对外延薄膜进行热改性处理的工艺。以此为基础尝试了低温气相外延方法制结应用于晶硅太阳电池pn结制备。主要内容及结论如下：研究了RF-PECVD外延沉积过程中，极板间距、沉积时间和掺杂气体流量对气相外延硅薄膜外延效果影响。在P型（100）晶硅衬底上外延沉积了质量近乎单晶的N型外延