本文以研究Na2Si03-KOH-KF电解液中阴离子对镁合金微弧氧化过程的作用机制为目标,借助X射线衍射仪(XID)、扫描电子显微镜(SEM)及能谱仪(EDS)等手段研究Si032-、OH-和F-分别对AZ31B镁合金微弧氧化过程中微弧等离子体诱发、U-t曲线、膜层物相组成、微观形貌、厚度、膜层阻抗和耐蚀性的影响,揭示其诱发微弧等离子体的内在机制和对陶瓷层微观结构的影响规律,为简化和优化微弧氧倦溶液体系提供理论依据和实验支撑。　　研究表明:单组分Na2Si03溶液中浓度对前期U.t曲线影响较大,对后期影响较小,氧化膜表面微孔孔径随NazSi03浓度的增加呈先减小后增大趋势,氧化膜的主要物相为MgO,当Na2Si03浓度为20.09/L时出现少量M92Si04。单组分KOH溶液中KOH浓度为0.5~1.5g/L时,15s左右即可在AZ31B镁合金试样表面快速诱发微弧等离子体,但并不能满足氧化膜增厚条件;随着KOH浓度的增加,基体和膜层的溶解作用逐渐加剧,并逐渐影响微弧等离子体诱发的稳定性;能够诱发微弧的KOH浓度存在一个临界阈值,其值约为1.59/L,当KOH浓度大于该值时,试样表面会由于氧化膜局部剧烈溶解而不会诱发微弧。　　在Na2Si03-KOH体系中Na2Si03浓度显著影响氧化膜的生成,随着浓度的增加,膜层生长速率加快,微弧等离子体诱发电压略微提高,膜层生长过程中存在一个由光滑向多孔转变的临界状态,该状态下膜层致密层阻抗最高,耐蚀性最好;KOH浓度的增加,显著降低微弧氧化电压和微弧等离子体诱发电压,缩短微弧等离子体诱发时间,加快氧化膜的生长速率,使氧化膜表面微孔形状更规则,促进膜层中非晶相的形成,氧化膜致密层的阻抗先增大后减小,耐蚀性呈先减小后增大趋势。在Na2Si03.KOH.KF体系中KF加快膜层的生长速率,F-在氧化膜中以MgF2的形式存在,F-浓度的增大会降低膜层表面微孔的规则度,减小微孔孔径,并使膜层中的非晶相有所减少,MgO相含量随F-的增加明显增多。随着KF浓度的增加,膜层致密层阻抗略有增大,耐蚀性有所提高。