柔性电子器件以其独特的柔性/延展性、轻质以及低成本等优势在信息、能源、医疗以及航空航天等领域具有广泛应用前景。如何提高柔性存储器件的性能是柔性电子集成系统发展的瓶颈。阻变存储器作为柔性存储器的一种,它具有简单的三明治结构且易于在柔性衬底上制备。其中,二元金属氧化物基阻变存储器展示出优异的存储特性和抗辐照性能,符合柔性存储器和空间新型非易失存储器的发展要求。然而,如何提高其抗弯曲特性,在弯曲工作状态下的辐射损伤规律和机理是怎样的,这些问题尚需深入研究。本文以TiO₂纳米棒阵列（NRAs）为阻变功能层,利用纳米棒之间的间隔变化承担衬底弯曲诱导的阻变功能层形变,开发阻变特性不受或几乎不受弯曲及其循环作用影响的柔性阻变存储器,并研究其总剂量效应辐射损伤规律和机理。主要研究内容如下:（1）利用水热合成法在柔性Ti衬底上生长TiO₂纳米棒阵列,并通过调节生长工艺参数调控纳米棒阵列的晶体结构、几何构型等,同时表征其阻变特性。结果表明,利用TiCl₃作为钛源,采用籽晶层,并调节生长温度和时间可获得多晶金红石型结构、直径约为90 nm、间隔适度的TiO₂纳米棒阵列,该TiO₂纳米棒阵列基存储单元具有较优的阻变性能,操作电压约为3 V,开关比10²,高低阻态在85℃条件下依然能够保持10⁵秒以上,脉冲模式下可以循环操作10⁷次。阻变功能层中非晶格氧的存在证明其阻变行为基于氧空位导电细丝机制。（2）研究不同弯曲半径和循环弯曲次数对Pt/TiO₂NRAs/Ti存储单元阻变特性的影响,并分析弯曲影响Pt/TiO₂ NRAs/Ti基存储单元阻变特性的机理。结果表明,相对于TiO₂薄膜,TiO₂ NRAs基阻变单元具有更优异的抗弯曲特性。随着弯曲半径的减小,TiO₂ NRAs基存储单元的操作电压会有一定的增大,高、低阻态基本保持稳定,但循环弯曲作用对阻变存储单元高低阻态有一定影响。SEM分析结果表明,相同弯曲作用下纳米棒阵列产生的裂纹很少,这是弯曲对纳米棒阵列的影响较小的原因。（3）基于⁶⁰Coγ射线研究电离辐射总剂量效应对柔性存储单元阻变特性的影响,提炼弯曲条件下总剂量效应的辐射敏感参数的损伤规律。结果表明,当弯曲半径大于7.5 mm时,剂量为1 Mrad的⁶⁰Coγ射线辐照后的样品阻变性能几乎不衰减,但当弯曲半径减小到5 mm时,存储基元的操作电压明显减小,高低阻态明显降低。辐照之后产生氧空位被认为是存储单元损伤的主要原因。