GaN基半导体具有较宽的直接带隙，优异的物理、化学稳定性，高饱和电子漂移速度，高击穿场强等优异性能，是目前发展高频、高温、高功率电子器件以及光电子器件的优选材料体系。本文结合GaN基材料的生长特性，系统的研究了不同极性GaN薄膜的分子束外延生长，研究了Ga极性与N极性在生长、表面形貌、晶体质量方面的差别，同时还研究了GaN的p型掺杂，分析了p-GaN的电学性质。主要结果如下：1.研究了不同极性GaN薄膜的制备，通过对比不同极性GaN的生长，分析发现，不同的极性，在表面原子重新排列时会有不同的重构，如N极性样品在降温的过程中，会出现稳定的3×3重构，这表明样品表面几层原子在降温过程中，晶格的排列周期会有所变化，周期变大，与体内晶胞完全不一样；而Ga极性的则表面相对稳定一些。2.对两种GaN的表面形貌和晶体质量进行了分析，结果表明，Ga极性的GaN表面要比N极性的平整，但是（102）面的FWHM要大一些，这表明，Ga极性的GaN刃位错密度要高于N极性GaN。3.分析了H原子对GaN的性质有着很大的影响，指出H在n-GaN和在p-GaN中分别分别起施主和受主的作用，然后通过实验研究生长中Mg的温度与载流子浓度和迁移率的关系，发现Mg在GaN中的溶解度并不是限制空穴浓度的决定性原因，起主要作用的是背景施主浓度的高低。