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为了迎接电子工业快速发展,封装材料必须具有优良的综合性能,Cu/Mo/Cu复合层板就是一种性能优良的电子封装材料。本文采用轧制复合的方法成功制备了Cu/Mo/Cu电子封装材料,并对其加工工艺过程进行了研究,对材料的力学性能和物理性能进行了检测,并借助金相显微镜、扫描电镜对钼、铜界面的微观组织进行了观察,此外,还对复合材料性能的计算模型进行了分析和研究,结果表明: 1) 表面处理方法对Cu/Mo/Cu复合层板结合面的剪切强度有显著影响,经喷砂+化学处理后Cu/Mo/Cu复合层板的界面剪切强度最高,经常规化学处理的材料的剪切强度最低。 2) 复合层板在850℃、初道次变形率为50%的条件下进行轧制有较好的综合性能。 3) 退火温度对复合层板的性能如热导率、剪切强度均有显著影响,经850℃退火的复合层板的综合性能最好。 4) Cu/Mo/Cu电子封装材料的界面不存在元素扩散,喷砂+化学处理的复合层板的界面结合是依靠表面膜破裂机制、硬化块破裂机制、热作用机制和机械啮合机制等共同作用的。 5) 在Cu/Mo/Cu复合层板的进一步加工过程中,提高轧制温度对复合层板的抗拉强度和平面电导率有利,而降低轧制温度对于提高复合层板的表面质量和弯曲性能有利。 6) 本文所建立的复合层板的包覆率方程和经过修正的复合材料导电、导热和热膨胀性能的经典模型计算值与实测结果比较符合,可用于Cu/Mo/Cu电子封装材料性能的预测计算。