金属纳米线由于具有奇特的电学、光学、磁学和热学性能,在微电子、光电子、催化与传感器等领域具有潜在的应用前景,使其成为近年来研究的热点。合成金属纳米线的方法众多,主要可分为软模板法、硬模板法和无模板法,比较而言,硬模板法中利用多孔氧化铝模板电化学沉积制备金属纳米线是比较常用的技术,各种金属的单晶和多晶纳米线都可以通过多孔氧化铝模板法制备。然而,目前对金属纳米线的生长机理的研究较少。本论文旨在探索利用多孔氧化铝模板,在直流电化学沉积条件下制备金属纳米线的方法,以及研究金属纳米线在较小孔径的多孔氧化铝模板内生长的机理。主要研究内容有：(1)多孔氧化铝模板的制备及影响模板形成有序通道的因素。(2)利用多孔氧化铝模板,直流电化学沉积制备金属纳米线。(3)讨论电化学沉积条件对金属纳米线晶体生长的影响。(4)利用金属纳米线阵列,经过高温氧化,制备金属氧化物纳米线阵列。(5)研究金属纳米线择优(220)晶面生长的机理和动力学影响因素。总之,本论文发展了利用多孔氧化铝模板,在直流电化学沉积条件下制备金属纳米线的方法,探讨了电化学沉积条件对纳米线晶体生长的影响,并提出一个模型来解释在较小孔径的多孔氧化铝模板内金属纳米线的生长。