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为了提高TbFe 薄膜的低场磁致伸缩性能,本文基于磁致伸缩相与软磁相交换耦合的思想,采用直流磁控溅射方法制备TbFe2/α-Fe 纳米晶交换耦合磁致伸缩薄膜和TbFe2/Fe 多层膜,系统研究了热处理对TbFe2/α-Fe 薄膜和TbFe2/Fe多层膜微结构及磁性能的影响。研究结果表明:当热处理温度大于400℃时,薄膜中有很强的LavesTbFe2磁致伸缩相和α-Fe软磁相峰析出,随着热处理温度升高以及热处理时间的增加,LavesTbFe2 磁致伸缩相和α-Fe 软磁相得晶粒尺寸均增大,但都在30nm 范围内。热处理可以显著降低TbFe 薄膜的面内矫顽力,提高面内饱和磁化强度,改善薄膜的面内软磁性能,提高薄膜的低场磁致伸缩系数;在热处理温度为550℃热处理60分钟的TbFe薄膜,在外加磁场200Oe时,磁致伸缩系数最大达到186ppm,灵敏度为0.93ppm/Oe。磁力显微镜（MFM）分析发现:制备态TbFe 薄膜为迷宫畴,具有很强的垂直各向异性能。在热处理温度小于350℃时,观察不到明显的磁畴结构,表明TbFe 薄膜易磁化方向由垂直转向面内,垂直各向异性降低;随着热处理温度的继续升高,迷宫畴重新出现,垂直各向异性增大。与TbFe 磁致伸缩单层膜相比,TbFe2/Fe 交换耦合磁致伸缩多层膜可以明显改善薄膜的面内软磁性能,从而提高薄膜的低场磁致伸缩性能;在磁场400Oe下,制备的[TbFe2（4.5nm）/Fe（6.5nm）]60 多层膜,磁致伸缩系数达到350ppm,灵敏度为0.875ppm/Oe。适当的热处理能进一步提高TbFe2/Fe 多层膜的低场灵敏度。TbFe2薄膜的起始晶化温度为327℃,晶化温度为372℃;TbFe2/Fe 磁致伸缩多层膜的最佳热处理温度为350℃,在此热处理温度下热处理60min,在磁场为400Oe 下磁致伸缩系数由制备态的350ppm 提高到热处理后的446ppm,灵敏度由0.875ppm/Oe 升