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在已规模化生产的互补金属氧化物半导体中实际起作用的沟道区域是工艺特性和发展的关键区域,以在此沟道中复杂的横向和纵向掺杂形态为特色的先进的离子注入应用被要求以使得亚微米晶体管成为主流产品。抗穿通离子注入正是它最好的例子。超浅结器件正对离子束角度性能日益敏感,在抗穿通离子注入中离子的发散和偏斜影响能够极大地改变器件性能。本论文重温超浅结器件对注入精度的要求。计算机软件模拟被用来分析抗穿通离子注入中离子束精度偏差对半导体器件(低至36纳米结器件)的影响。离子束角度特性的偏移所带来的电性参数的变化被量化分析,以证明精确控制离子束角度对超浅结的形成是必不可少的。