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与传统光源相比，LED由于具有节能，环保，寿命长等优点而备受关注，成为第三代照明光源，因此提高LED各方面性能也成为当前各国半导体照明领域研究的热点。
本文研究了低能电子束辐照对AlGaInP基红光LED和GaN基蓝光LED发光性能的影响。电子束辐照具有效率高、成本低、控制精确等优点，它可以减少半导体材料中的少数载流子寿命，进而影响其性能。经过大量的辐照实验后，根据实验数据可以对比不同能量和不同剂量电子束辐照对LED发光强度的影响，并且总结出电子束能量和剂量等参数与LED发光强度变化的关系。
本实验的主要工作及结论如下:
1、用电子束辐照红光LED和蓝光LED，对比未辐照和辐照之后的外延片的PL谱，确定电子束辐照能够提高LED的发光强度。
2、利用不同的辐照源（包括电子束，X射线和γ射线）辐照红光LED，对比PL谱可知电子束辐照是效率最高的辐照源。
3、利用不同能量和不同剂量的电子束辐照LED，对比结果得出结论:外延片的发光强度随着电子束能量和剂量的增加而增强，但是当电子束能量过大时，发光强度反而下降，因此只有适当能量和剂量的电子束使外延片的发光强度最大，对于红光LED，电子束最合适的能量和剂量分别在3MeV和10kGy左右。
4、对比退火后和辐照前的外延片的PL谱，结果退火后发光强度仍然大于辐照前，证明电子束辐照对外延片性能的影响是永久性的。