氮化镓在禁带宽度大、临界击穿电场高、抗辐照等性能方面上的优势,使氮化镓非常适合在极端条件下工作,尤其在航空领域的高粒子辐照下工作。而氮化镓的质子辐照效应作为一个新的课题在航天领域具有深远的意义。本论文主要对不同剂量入射质子在氮化镓中的缺陷进行了研究。实验过程采用了 1015cm-2、1016cm-2的剂量辐照,同时取了没有辐照的样品作为参照。对辐照前后的样品分别进行了正电子寿命谱和拉曼测试,同时本文也计算了非电离能损。本论文的主要工作如下： 　　1,计算了低能质子辐照氮化镓的非电离能损。前人的研究主要考虑了低能时的库伦相互作用而忽略了核外电子库伦屏蔽。所以,本文对考虑库伦屏蔽后低能质子在氮化镓中的非电离能损进行了公式计算。 　　2,分析了实验测得的正电子寿命谱,主要从实验结果中的缺陷的强度和寿命以及平均寿命入手,并给出了缺陷信息。并用单寿命谱分析了1比体寿命小的原因。 　　3,取了5MeV不同入射质子能量的三组实验样品,结果发现E1(T0)模式的存在,同时粗略的计算了载流子浓度,通过理论计算和拟合,得到了GaN中的等离子体激元的频率和阻尼常数,并得到了载流子的迁移率。另外,取了2MeV不同入射质子能量的实验样品,进行了分析对照。