大面积MoTe2的相控制制备及MoTe2-xOx/MoTe2异质结在忆阻器方向的应用

来源 :华中科技大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:laohe200304
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自从石墨烯在2004年被发明以来,二维材料以其优异的结构和性能逐渐受到人们的关注。忆阻器作为一种新型的电子器件在2008年也第一次被惠普公司发明。忆阻器,由于其电阻状态是随施加电压的变化而改变,可以用在神经模拟、数据存储、逻辑运算等方向。因此,将这两个前沿方向结合在一起研究,具有很重要的意义。本文主要探索新型二维材料MoTe2在忆阻器方面上的应用,主要研究内容如下:(1)通过前驱体MoO3的厚度来制备大面积的MoTe2薄膜和MoTe2-xOx/MoTe2异质结,这种方法只需控制MoO3的厚度,其余外部条件都相同。结果是薄的MoO3产生1T’相MoTe2,随着MoO3厚度的增加,薄膜中逐渐出现2H相,当MoO3厚度是25 nm时,1T’相MoTe2就全部变成了2H相MoTe2。(2)研究两种相MoTe2的忆阻性能。结果发现,MoTe2的忆阻性能与相的种类和MoTe2的氧化程度有关。新样品1T’相和2H相MoTe2都没有忆阻性能。2H相MoTe2经过氧化形成MoTe2-xOx/MoTe2的异质结,表现出优良的忆阻性能和达3000圈的循环稳定性,而1T’相MoTe2经过氧化后仍然没有忆阻性能。(3)研究了电极种类(Ag和Al)对MoTe2-xOx/MoTe2异质结忆阻性能的影响以及对器件进行了脉冲测试,来进行神经模拟,表现出人类的学习行为。
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