HPGe探测器宽能区精密效率刻度

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该文主要介绍了γ射线探测器的全能峰(FEP)效率刻度在近年来的进展和高纯锗探测器(HPGe)在(0.1一10.0)MeV能区范围内的全能峰效率刻度方法.着重论述了高纯锗探测器在能区(2.7-10.OMeV)用双线法进行效率刻度的实验研究.该研究工作在国内属于首次.双线法研究工作在北京中国原子能科学研究院的Cockcroft-Walton加速器上,利用能量为278keV的质子俘获共振反应<14>N(P,γ)<15>0,复合核<15>0激发能级退激时,发射一对一个能量较低,一个能量较高的级联γ射线,每对的分支比为l的优良特性,低能区采用标准源法,高能区采用"双线法"刻度了(φ57.8×81.6mm)高纯锗探测器全能峰效率.研究结果得到的在(2.7-10.0MeV)能区效率刻度的不确定度为5%或更好.
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