宽带隙(4.2-4.9eV) Ga2O3半导体材料由于具有很强的氧化还原性，在光催化领域具有其他氧化物半导体不可比拟的优越性能，成为当前研究热点之一。　　为了克服目前制备的β-Ga2O3粒径大、制备工艺复杂等缺点。本论文以硝酸镓(Ga(NO3)3)溶液为镓源，尿素为沉淀剂，以SiC为载体和微波吸收材料，采用微波水热均匀沉淀法和自制的微波“闪热”法合成了具有微波吸收性能的超细、高活性的β-Ga2O3/SiC复合物。通过DLLS、XRD、TEM、SEM、XPS、DRS和UV-Vis等分析方法对产品进行表征。考察了热处理方式、微波功率、反应时间和载体SiC目数等因素对复合物的形貌、结构和光催化性能的影响。　　在微波场中，以微波无极灯(MEDL)为光源，RhB为目标降解物，考察了不同实验条件下，在微波场中β-Ga2O3/SiC复合物的光催化降解性能和反应动力学规律。实验结果表明，光催化作用、微波辐射和SiC共同作用时产生的协同作用时光催化活性提高的主要原因。