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理论上轴向局域寿命控制技术是目前使快恢复二极管的各项性能达到折衷优化的最佳技术，是目前寿命控制领域的研究热点问题。但是，已有He+注入感生缺陷技术尚具有漏电流过大的严重缺陷，用此感生缺陷汲取铂形成局域铂掺杂的技术漏电虽小，但因可获得铂浓度不够高，制成的快恢复二极管的反向恢复时间trr最小只能达到200多ns。为解决这个轴向局域寿命控制技术的发展障碍，进一步降低trr，本文提出利用高剂量He+注入形成的纳米空腔(voids)的汲取作用来提高局域铂掺杂浓度的构想，并进行了试验研究和分析。
试验采用的He注入剂量为2×1016cm-2，voids形成条件为700℃/100min，并分别在0(不长大)、800、900和1000℃等不同条件下长大，之后在不同温度下(800℃-1150℃)进行铂汲取，然后制作成肖特基二极管。此后，对样品进行DLTS测试，结果表明各种条件下均会出现Ec-0.22eV这个与铂杂质对应的陷阱能级，该能级对制造优良性能的FRD来说是非常有意义的。同时，比较不同条件下缺陷态浓度发现，利用纳米空腔汲取铂，最高电活性铂浓度可以达到3.8×1014cm-3，而小剂量He注入感生缺陷汲取铂的最高浓度只有1.9×1013cm-3。纳米空腔汲取铂的浓度近乎是感生缺陷汲取铂浓度的20倍，汲取效果提高了一个数量级!这将会大大的缩短器件的开关时间。在此基础上还进一步研究了不同汲取条件对铂汲取效率的影响，初步发现了较佳的铂汲取条件。为将来制造出性能优异的PIN结构FRD奠定了基础。此项新技术不但可以用于快恢复二极管的制造，而且也适用于其它需要寿命控制的功率器件(如：IGBT、GTO等)，其应用范围和潜力十分巨大。