CuW合金具有良好的耐电弧侵蚀性、抗熔焊性能和高强度等优点，被广泛地用作各种高压断路器中的触头材料。随着电力系统不断发展，目前的CuW合金不能满足断路器向着大容量、高电压、低过压、小型化、智能化对触头材料综合性能的要求。本文采用熔渗法，分别制备了掺杂稀土氧化物的CuW合金、纳米CuW合金，研究了不同制备方法对CuW材料显微组织、静态性能及电击穿性能的影响。本实验条件下的结果表明：1．球磨混料4h已经使纳米级CuO粉末均匀的分布在W基体上；CuO的最佳还原方式为还原W-CuO混合粉末；最佳还原温度是800℃；在烧结温度为900℃时，W骨架基本形成；当CuO粉含量达到7-11wt％时，渗铜效果最好。纳米CuW合金晶粒细化且有大量的晶界的存在，电击穿发生晶界上，耐电压强度有所提高；2．采用液一固掺杂法在钨骨架中添加的CeO₂分布均匀，添加量在0．2-1wt％，随着添加量的增加，粉末冶金法制备的CuW合金的硬度升高，而电导率变化不大；添加CeO₂的CuW合金，电击穿发生在CeO₂及其边缘；此时铜相的飞溅较小，击穿坑较浅；3．在击穿过程中，传统的CuW合金电击穿往往发生在富铜区域，铜液的喷溅较严重，且击穿坑较大；4．添加CeO₂相的CuW合金和纳米CuW合金的平均截流值较小，平均电弧寿命长。