关于Ⅰa型超新星的高速外层吸收特征的研究

来源 :清华大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jay12
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文介绍了我们在高速外层吸收特征(HVF)上的研究。HVF是早期(-7天前)光谱之中出现的一种高速(速度V>16,000 km s-1)的吸收特征,与光球层(PHO)吸收特征常常部分重叠。我们用一个大样本来测量了HVFs的速度和等值宽度(pEW,衡量吸收强度的参数)。为了提高测量精确度,我们还发明了利用SiⅡλ5972与SiⅡλ6355之间速度关系来进行限制的方法。统计分析表明,Si-HVF较强的Ⅰa型超新星多为光度下降率?m15(B)<1.4mag的超新星,在HV超新星早期光谱之中出现的几率也会高一些。另一方面,HVF与超新星的B-V颜色、爆炸环境(爆炸位置、寄主星系类型等)等关系不大。SiⅡλ6355和CaⅡ NIR无论是在速度上,还是在等值宽度上,无论是在光球层,还是在HVF,都呈正线性相关,表明两者的分布具有极大的相关性。但另一方面,在HVF层,两者的速度和等值宽度在绝对值上都相差较大,很可能是由两者之间的激发能差异所导致。在将O和Si、Ca进行比较之后,我们发现,O的等值宽度与Si、Ca的等值宽度存在较强的倒数(或反)相关。这意味着,HVF层的Si、Ca吸收强度决定于O的燃烧程度。同时,我们发现O的HVF与光球层之间存在很强的正相关,意味着HVF应是超新星内部因素引起的现象。综合其他线索,我们最终认定,HVF起源于超新星非对称爆炸产生的外溢火焰,或表层的He爆轰。值得注意的是,O的速度-等值宽度相关性在那些观测到C的超新星之中要强得多,表明这类超新星具有较为均匀的性质。另外,通过对比几种爆炸模型,我们发现,延迟爆轰模型比较符合我们的测量结果,且我们的测量结果也能够对其作出一定限制。基于我们得到的光谱-测光参数相关性,我们提供了估算一些测光参数的新方法。利用一些光谱特征(如O和Si之间的HVF等值宽度比、是否出现C吸收),我们得到更为均匀的样本,大大降低了哈勃图的弥散性。总之,我们的测量结果对于研究Ⅰa型超新星抛射物之中的元素分布、HVF的分布规律和起源、Ⅰa型超新星的爆发机制和在宇宙学等重要课题都有很高的参考价值。
其他文献
合浦珠母贝(Pinctada fucata)贝壳由珍珠层和棱柱层两种矿化层组成,其形成过程涉及一个矿化平衡的过程。间液位于珠母贝贝壳和外套膜之间,被认为在贝壳形成中起重要作用。然而,对间液的功能研究却相对较少。碳酸钙体外结晶实验表明间液蛋白不仅能够控制CaCO3晶体的形貌,而且能够通过文石和方解石特异结合蛋白调控CaCO3的晶型转变。结晶抑制实验表明,当CaCl2和NaHCO3的浓度从50mM降低
太赫兹波位于电子和光子学的过渡区间,具有较好的穿透性、光子能量低、带宽大等优异性能。将太赫兹技术运用于通信领域,可提高通信系统的传输速率、安全性,相对于激光通信并更易跟踪与对准。太赫兹无线通信系统中,太赫兹调制器是在系统发射端实现调制的重要器件。因此作为系统中的关键器件之一,越来越多的研究被投入到调制器中。针对目前调制器所面临的工作带宽窄、集成化难、速率低等挑战,本文设计了四种不同类型的调制器,通
模数转换器(Analog-to-digital converter,ADC)可以将模拟信号转变为易于计算机处理的数字信号,在信号处理系统中起着至关重要的作用。随着人们越来越追求快速地处理信息,高速ADC成为了模数转换器的一个重要分支,而折叠内插ADC有着堪比全并行ADC的处理速度,同时其电路规模和功耗却相对较小,是高速ADC中的重要研究对象。由于异质结晶体管(HBT)相比CMOS晶体管有着更高的截
目前的IC行业中,尤其是较为先进工艺下的芯片产品,由静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)造成产品失效的隐患越来越高,ESD失效已经属于导致芯片可靠性问题的主要因素。静电现象在日常中随处可见,IC行业针对于静电的防护已经从源头到最终产品应用各个环节全方面采取措施。随着IC制造工艺变革,也给芯片静电防护设计增添了很多技术环节变化,本文就将对先进IC工艺下静电防护的设计,包
硬X射线调制望远镜(HXMT)运行于550km近地轨道,空间中荷电粒子与HXMT相互作用会在主要载荷高能主探测器中引发X射线本底,降低探测器灵敏度。反符合探测器设计用于包围在主探测器前向2π立体角探测环境荷电粒子,其输出信号与主探测器信号反符合,实现以主动方式屏蔽荷电粒子诱发的本底事例。反符合探测器由6个顶面探测器和12个侧面探测器组成,主要设计指标为单机探测效率95%,对主探测器死时间影响0.1
集成电路在摩尔定律的推动下不断的快速发展,该定律要求芯片外接电压降低,尺寸不断减小。开关电源使用二极管进行整流,需达到正向导通压降才能使其导通,该压降使系统的整流损耗增加。当系统工作在大电流低压条件下时,其效率会大幅降低。因此需要降低正向导通压降,目前最有效的方法是使用功率MOSFET代替二极管,MOSFET的低导通阻抗特性可以降低电路的整流损耗,系统效率从而能够得到提升,该技术被称为同步整流(S
在摩尔定律的指导下,集成电路的特征尺寸不断减小,纳米尺度下MOSFET器件的漏电问题越来越严重,日益增大的功耗限制了晶体管尺寸进一步缩小。为了延续摩尔定律,隧穿场效应晶体管(TFET)成为科研人员研究的热点,TFET工作基于量子隧穿效应,可以在室温下获得低于60m V/dec的亚阈值摆幅和极低的关态泄漏电流。国内外对TFET的研究主要集中于提升开态电流,降低亚阈值摆幅,而由基本器件物理可知,增强隧
随着半导体行业在今世社会的迅猛发展,传统硅器件受到其材料本身的限制,已在一定程度上难以满足电力电子领域中高频率、大功率以及低损耗的性能要求。碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管器件是宽禁带半导体器件领域蓬勃发展的一个重要分支。碳化硅材料其相较于传统的硅材料,具有临界击穿电场强度高,禁带宽度大,热导率高的特性。由于碳化硅功率MOSFET器件的优秀性能,因此被大范围运用于新能源汽车、大功率电源以及航
逐次逼近型模数转换器(SARADC),是当前ADC设计中广泛采用的一种结构,它不仅结构简单、功耗较少,并且片上使用面积小。随着模数转换器技术的发展,SARADC已经可以做到12位以上分辨率和10M以上的转换速率。在便携式、可植入生物医疗系统中,低功耗SARADC设计技术的研究也日益受到关注。典型的生物电信号采集量化系统包括:低噪声高增益模拟前端放大器、模数转换器等。其中模数转换器作为系统的核心模块
现代主流存储器技术达到技术发展的瓶颈,而新型非易失性存储器反而在快速发展。其中铁电存储器(FRAM)以其非易失性、低功耗、长寿命和抗辐照等优点,被认为是最具潜力的新一代非易失性存储器技术之一。氧化铪(HfO2)材料中铁电性的发现,给铁电存储器的发展带来了新的内涵。如今国内外研究人员仍在努力研究开发基于掺杂氧化铪的铁电存储器。本文采用基于掺锆(Zr)氧化铪材料的铁电薄膜电容工艺,完整地设计了一款基于