透明导电氧化物（TCO）薄膜的p型掺杂是目前半导体材料领域研究热点之一，光电性能良好的p型TCO薄膜的缺乏是透明电子器件难以制备的主要问题。SnO₂薄膜是最早使用也是非常重要的一种透明导电材料，而Sb₂O₅薄膜则是一种潜在的宽禁带透明导电氧化物材料，如果能制备出光电性能良好的p型SnO₂或p型Sb₂O₅薄膜，将为透明导电氧化物的p型掺杂开启一个新的研究方向，对透明电子器件的制备具有重要的意义。p型TCO薄膜的光电性能直接受材料本身的本征缺陷及掺杂元素的影响，只有从电子层次去了解本征缺陷及掺杂元素对TCO材料电子结构及电学性能的影响，才能为实验提供最佳掺杂元素及实验条件，最终获得光电性能良好的p型TCO薄膜。基于此，我们用第一原理方法研究了本征缺陷及掺杂元素对SnO₂及Sb₂O₅电子结构及电学性能的影响。计算结果表明氧空位缺陷是本征SnO₂呈n型导电的主要原因，是影响SnO₂的p型掺杂效果的主要因素。在Al、Ga及In这三种杂质中，In在SnO₂中能够形成最浅的受主能级，产生最高的空穴浓度。高含量的替代In在SnO₂中将诱发较大的晶格畸变，这将降低掺铟SnO₂薄膜的空穴迁移率，通过在SnO₂中共掺铟镓能够克服单掺铟在SnO₂中诱发的晶格畸变并提高空穴迁移率，最终提高p型SnO₂的导电率。在上述理论基础上，我们用喷雾热解法首先制备出了光电性能良好的p型掺铟SnO₂薄膜，其最高空穴浓度可达3.99×10¹⁸cm^-3，电导率为2.368×10^-3Ω^-1cm^-1，实验中也发现掺铟SnO₂薄膜有低的空穴迁移率。我们制备的铟镓共掺SnO₂薄膜的确能够克服晶格畸变并提高空穴迁移率，最终获得比单掺铟具有更高电导率的p型SnO₂薄膜，其最高电导率可达5.952Ω^-1cm^-1。此外我们对Sb₂O₅的第一原理计算结果表明，锑间隙缺陷是导致本征Sb₂O₅呈n型导电的主要原因。在Si、Ge及Sn这三种杂质中，Ge和Sn在Sb₂O₅中均能够形成有效的受主能级，产生较高的空穴浓度。在上述理论基础上，我们用磁控溅射法制备出了光电性能良好的p型掺锡Sb₂O₅薄膜，其电导率可达5.392Ω^-1cm^-1。