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本论文包含了两部分工作，一是探索了一种在绝缘衬底上直接生长超净石墨烯的方法。CVD方法生长石墨烯后，持续的升温融化、蒸发铜箔，石墨烯与铜箔分离，并直接转移至绝缘衬底上。成功获得直径数十单个晶畴石墨烯和毫米级连续的石墨烯薄膜。通过多种表征工具（例如:光学显微、拉曼光谱、原子力显微镜）和测量霍尔迁移率等证明了石墨烯的高晶体质量、高清洁度及石墨烯与衬底间距小于0.8纳米。二是探索了一种低成本、大面积、快速检测石墨和石墨烯缺陷的技术。水蒸气在石墨和石墨烯表面凝结的行为验证了水分子与石墨或石墨烯表面缺陷的强相互作用。水珠分布和缺陷分布的对应关系证明水蒸气凝结实验可以用于表征石墨和石墨烯缺陷，并利用低能量等离子体提高了水蒸气凝结法表征石墨和石墨烯缺陷的能力。本论文成功地表征了石墨表面缺陷、在各种衬底(Cu，SiO2)上的CVD石墨烯表面的缺陷。