在近几十年来,信息技术一直遵循着摩尔定律,即在一个芯片上的晶体管数目每两年增长一倍,但是传统的电子器件由于量子效应和热效应的存在达到了极限。而伴随着纳米技术的进步,自旋电子学将有可能确保摩尔定律在未来的实现。在自旋电子学中,在一个电路中起作用的并不仅仅是电荷电流,还有电子本身的自旋状态。自旋量子器件则被认为有可能实现在数据存储和处理中的高灵活性、高稳定性和低能耗性,而且自旋电子器件已经被广泛应用于高密度数据存储、磁传感器以及量子计算机等诸多领域。而在新一代自旋电子学的发展中,铁磁材料/半导体材料异质结构的研究占据了重要位置。就目前已有的研究来说,绝大部分工作是将分子束外延生长与各种纳米制造技术结合,对诸如：1.在铁磁/半导体界面引入超薄过渡层,调节势垒高度,提高自旋注入效率；2.材料的尺寸效应对自旋相干长度的影响；3.半导体表面重构对外延磁性薄膜的晶体对称性及其磁性的影响；4.电控磁技术在铁磁/半导体磁性隧道结中的实现；5.光场对自旋的调控等热点领域进行研究,并取得了丰硕的成果。本文的主要创新点在于：采用了磁控溅射技术,分别在GaN衬底和InAs衬底上生长非晶铁磁性薄膜CoFeB,使得该异质结构制备工艺突破了传统的分子束外延方式速率、规模的局限性,具备大规模制备的潜能。在CoFeB/InAs和CoFeB/GaN异质结构均中发现了面内磁单轴各向异性。而且对CoFeB/InAs异质结构电学特性进行了测量,得到了其接触方式为低电阻欧姆接触的结论,从而为将该异质结构进一步发展为自旋量子器件提供了重要参考。