21世纪的信息技术将是以信息功能材料为基础的微电子、光电子和光子技术融合的高技术。发展光集成技术或光电集成技术,研制低成本、高性能的光电信息器件将变得尤为重要。光电集成中的各系材料都有其独特的物理特性。为了综合利用各系材料的不同特性,必须发展异质光电集成。本论文针对解决异质光电集成中材料晶格失配,材料热膨胀系数不同这两大难题的关键技术—低温晶片键合技术、纳米线生长技术进行了实践与研究,主要内容如下：1.深入学习了键合技术的基本原理,低温键合的方法尤其是InP/Si, GaAs/Si的键合方法,以及键合技术的主要应用。2.对晶片键合过程中产生的热应力进行了分析,推断出降低退火温度(即低温键合)是减少热应力对键合影响的最有效的方法。3.与人合作在实验中通过硼化物表面处理,成功实现了InP/Si晶片间简单、无毒性的低温键合(退火温度为270℃)。键合界面具有很好的形貌特征。通过测试Ⅰ-V曲线说明键合界面具有很好的电学特性。利用SIMS测得键合晶片的SiO2中间层厚度约为21.56nm,结合XPS测试,证实了硼酸溶液处理后的晶片表面由P、O、As、B、Si这五种元素之间通过架桥氧的结合为主(SiO2-B2O3-P2OX),从而保证了在低温下实现高键合强度。4.深入学习了Ⅲ-Ⅴ族纳米线的生长技术,分析了各种生长条件对生长过程的影响。5.与人合作在实验中通过气液固(VLS)法成功的在InP衬底上生成了InP纳米线,并在理论上对产生各种InP纳米线形态的原因进行了分析。