【摘 要】
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该文主要研究器件三维封装中贯通孔内侧氧化绝缘层的形成.该研究首先在HF:CHOH=1:l的溶液里用阳极腐蚀的方法制作大约为2μm厚度的多孔硅,制作多孔硅时采用了不同的电流密度,
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该文主要研究器件三维封装中贯通孔内侧氧化绝缘层的形成.该研究首先在HF:C<,2>H<,5>OH=1:l的溶液里用阳极腐蚀的方法制作大约为2μm厚度的多孔硅,制作多孔硅时采用了不同的电流密度,形成了不同晶粒大小的多孔硅.然后在0.1Mol/l的HCl溶液里20V的恒定电压下阳极氧化前面制作出来的多孔硅.对于阳极氧化后的样品,我们采用了扫描电子显微镜(SEM)观测其截画、确定其厚度;采用了击穿电压测试电路测试了击穿电压;采用了X射线光电子能谱(XPS)分析了样品的Si-O结合.该研究还将阳极氧化后的样品在高温下退火并与原样品做了比较;将未阳极氧化的样品热氧化、将阳极氧化后的样品热氧化,再将它们与阳极氧化后的样品也做了比较.该研究发现多孔硅层的硅晶粒大小是获得优质电学性质的关键.晶粒大小应小到能让阳极氧化进行到晶粒的最核心,这样氧化才会更充分.该研究最终在室温下利用多孔硅的阳极氧化制作出了击穿强度为2MV/cm左右的微米厚度的氧化绝缘层,实现了具有大于100伏击穿电压的目标.该研究最后还给出了在三维封装中如何在贯通孔的内侧实现这一技术.
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