涂层导体用高钨复合基带形变及再结晶织构研究

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NiW合金在抗氧化性能以及与超导层的晶格匹配方面优势明显,是YBa2Cu3O7-δ(YBCO)涂层导体制备过程中使用广泛的织构金属基底材料之一。然而,低钨含量NiW合金屈服强度有待提高,饱和磁化强度有待降低。高钨含量NiW合金在立方织构形成能力上大大下降,且W原子百分含量为10的Ni10W已不适合作织构金属基带的候选材料。由此可见,单层基带的研究已不能满足涂层导体对基底材料的更高要求。而复合基带的制备是一种获得表面高立方织构,整体低磁性、高强度合金基带的有效思路,在低钨—高钨复合基带的研究已日趋成熟的基础上,综合性能更加优异的高钨—高钨复合基带已逐渐发展起来,因此,本论文开展了RABiTS路线制备Ni7W/Ni12W/Ni7W与Ni8W/Ni12W/Ni8W高钨复合基带的研究。采用放电等离子烧结技术制坯,围绕RABiTS路线制备金属基带的关键技术环节,讨论了轧制中间热处理及再结晶工艺对这类复合基带立方织构形成的影响。结合形变基带抛光、EBSD扫描技术再现复合基带形变、回复及再结晶过程,对优化工艺改善立方织构形成的机理进行了初步探讨。论文获得的创新性研究成果如下:  通过扫描电子显微镜(SEM)及能量色散谱仪(EDS)对Ni7W/Ni12W/Ni7W复合坯锭轧制开裂样进行断口分析,从坯锭制备与开坯轧制角度优化复合坯锭成型性。在此基础上,采用X射线四环衍射(XRD)技术与电子背散射衍射(EBSD)技术分析研究了三种轧制中间热处理温度对Ni7W/Ni12W/Ni7W复合基带回复及再结晶的影响。结果表明,600℃轧制中间热处理的复合基带经再结晶退火后获得了95%(<10°)的立方织构。对不同轧制中间热处理温度下基带形变、回复、初始再结晶状态的微观组织进行研究发现:与550℃、575℃轧制中间热处理的基带相比,600℃轧制中间热处理的复合基带轧制织构总含量明显下降,但其回复组织中的立方取向含量升高,且600℃轧制中间热处理基带初始再结晶组织中立方取向的晶粒尺寸优势明显,立方织构含量高于其它基带约10%。说明600℃轧制中间热处理的复合基带通过提高形变组织中的立方取向含量优化了基带再结晶过程中立方织构的形成能力。  对纯冷轧Ni8W/Ni12W/Ni8W复合基带形变及再结晶过程的研究发现,Ni8W/Ni12W/Ni8W复合基带在轧至0.5mm时开始向黄铜型织构转变,其初始再结晶组织中立方取向在数量与尺寸上都无优势。在轧至2mm、1mm、0.5mm、0.25mm时分别加入一次600℃保温60min的轧制中间热处理,强立方织构形成后立方取向含量与纯冷轧基带相比提高了约20%。对比纯冷轧与轧制中间热处理基带的回复组织发现:纯冷轧基带中存在大量剪切组织;而轧制中间热处理基带剪切组织大大减少的同时,S、Copper及Cube取向含量都有所上升,这是纯冷轧基带难以形成强立方织构的原因之一。最终,优化第一步再结晶热处理保温时间后,Ni8W/Ni12W/Ni8W复合基带获得了91.7%(<10°)的立方织构。  综上所述,本论文在提高复合坯锭成型性的基础上,研究了轧制中间热处理及再结晶工艺对复合基带形变及再结晶的影响,提高了Ni7W/Ni12W/Ni7W和Ni8W/Ni12W/Ni8W复合基带的立方织构含量;通过对不同轧制中间热处理基带形变、回复、初始再结晶组织的研究,分析了轧制中间热处理对形变组织的优化机制。本论文的研究不仅对后续强立方织构高钨复合基带的制备具有十分重要的参考意义,而且丰富了轧制中间热处理对低层错能面心立方金属形变及再结晶产生影响的实验基础,拓展了其强立方织构形成的机理研究。
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