涂层导体用Ni4WV合金基带的再结晶织构研究

来源 :大连理工大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zdb_zhang
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YBCO超导材料因具有超导电性在信息、军事等领域有巨大的应用前景与价值。良好性能的金属基带对制备YBCO至关重要。目前,使用最广泛的金属基带为Ni5W基带,可产业化生产百米级长带材,但其具有较高铁磁性,易产生磁滞损耗。对此,本论文通过合金化的方式,用部分V元素代替Ni5W合金中1%含量的W元素,获得综合性能更好的Ni4WV合金基带,并对基带的再结晶工艺进行优化,获得更高的立方织构强度。  本实验利用真空感应熔炼制备出Ni4WxV(x=2,4,6)3种成分合金,通过均匀化退火及热锻,使坯锭成分更加均匀且细化晶粒;采用轧制辅助双轴织构基带技术制备出厚度为200μm的冷轧及再结晶Ni4WV合金基带。测量3种成分基带的屈服强度和磁性能,并采用X射线衍射技术(XRD)与电子背散射衍射技术(EBSD)分析比较不同样品基带的冷轧织构与再结晶织构,并与Ni5W基带进行比较,选出综合性能最佳的成分合金。结果表明,Ni4WV合金基带中,V含量的增加会提升基带的屈服强度并降低基带铁磁性,但同时也明显降低了合金基带的立方织构含量。Ni4W2V基带的综合性能最佳,其屈服强度为150.7Mpa,与Ni5W相当;常温下饱和磁化强度为Ni5W的55%,立方织构含量为47%(<30°),是具有研究前景的合金成分。  为了获得更高的立方织构含量,本实验对Ni4W2V基带进行再结晶工艺优化。分别测量比较不同的最终再结晶温度和第一步退火温度对基带立方织构含量的影响。结果表明将Ni4W2V基带的最终再结晶温度从1100℃提高至1200℃时,立方织构含量从47%提升至55%,更高的最终再结晶温度有利于具有尺寸优势的立方取向晶粒长大并吞并其他取向晶粒。通过显微硬度变化曲线,我们确定了样品初始再结晶的温度范围是600℃到700℃,实验分别测量以600℃、650℃和700℃为第一步退火温度的最终Ni4W2V再结晶基带立方织构强度。结果表明第一步退火温度为650℃时,基带的立方织构含量最高,为58%。这是因为在650℃退火时,基带发生部分再结晶,此时立方取向晶核所占比例最高,为高温退火阶段获得更多的立方取向晶粒奠定了基础。  本论文研究确定了综合性能最佳的Ni4WV合金基带,并对其进行再结晶工艺优化,为后续的Ni基合金基带研究提供了实验基础与数据。
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