本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了外加应变对二维氮化硼纳米片和准一维氮化硼纳米带几何结构、电子性质和光学性质的调制作用,发现通过应变可以有效的调制二维氮化硼纳米片和氮化硼纳米带的电子结构和光学性质,为设计纳米尺度的物性调控器件提供了有益的理论指导和依据。本论文的主要内容如下:　　1、通过第一性原理计算研究不同的平面应变对二维氮化硼纳米片空间结构和电子性质的调制作用。发现对称应变下,在不同的晶格常数范围内,二维六角氮化硼纳米片的带隙大小具有不同的变化规律,而且其带隙性质也不相同;在不同的应变范围内,带隙与应变有不同的关系。在非对称应变下,带隙一致地随着应变的增大而减小,而且有直接带隙和间接带隙之间的转换。　　2、研究了平面应变对二维氮化硼纳米片光学性质的调制作用,发现二维六角氮化硼纳米片的光学性质对应变很敏感。在对称应变和非对称应变下,体系的介电函数峰都发生红移。而且在非对称应变下,由于体系标准sp2杂化属性的破坏以及电荷的转移,二维氮化硼纳米片在平面表现出各向异性的光学性质。　　3、在单轴大应变下作用下,二维六角氮化硼发生结构相变。在垂直于B-N键的方向施加大应变,体系逐渐从原来简单斜方结构转变为简单长方结构,并最终趋向于孤立的氮化硼原子链结构。在平行于B-N键的方向施加大应变,体系并没有出现长方结构,而是直接转变成交错并排的BN链结构。　　4、通过研究应变对氮化硼纳米带的调制作用,发现扶手型和锯齿型氮化硼纳米带的带隙都随着应变的增大而减小。而且锯齿型氮化硼纳米带的宽度越大,其带隙随应变的增大而减小的越快,从而更容易由宽带隙的半导体转变为窄带隙的半导体。　　5、通过研究氮化硼纳米带的介电函数谱,发现扶手型和锯齿型氮化硼纳米带都表现明显的各向异性光学性质。通过比较扶手型、锯齿型氮化硼纳米带以及氮化硼纳米管的介电函数谱,发现氮化硼材料的光学性质对其结构很敏感。而且在应变作用之下,氮化硼纳米带的介电函数谱向低能区移动,从可以调控其光学性质。