【摘 要】
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本论文在有效质量近似下,应用谐振子基展开法和Talmi-Moshinsky系数研究了带负电荷(D~-)的施主量子环中电子的能级和相应的波函数表达式,以及通过对变化的外加磁场强度下系统
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本论文在有效质量近似下,应用谐振子基展开法和Talmi-Moshinsky系数研究了带负电荷(D~-)的施主量子环中电子的能级和相应的波函数表达式,以及通过对变化的外加磁场强度下系统能谱的特征曲线进行比较揭示了外加磁场对带负电的施主量子环系统能级性质的影响,最后再利用密度矩阵法根据所求的能级和波函数的解析解进一步对量子环中电子的非线性光学性质进行研究。研究发现,随着半导体量子环内的D-系统内线性和非线性极化率的改变,外部磁场的变化会在跃迁能量中引起光震荡现象。结果表明,通过改变外部磁场和半导体量子环的宽度控制D-系统的频移及线性和非线性极化率的密度。峰位和峰高在线性和非线性极化率中均出现了光震荡,意味着可以通过光学实验对D~-系统进行观测。
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