本论文的目的是在过渡族金属低维化合物中探索新型磁性材料,主要对几种准一维和层状的铬硫族化合物及铬砷族化合物进行制备和物性表征。实验上,首先通过高温固相反应法获得新化合物的粉晶样品并确定其晶体结构,而后采用助熔剂法生长新物相的单晶并对其性质进行系统研究。本论文的主要研究结果如下:首先,成功合成了一种新化合物Rb2Cr Se2,并对其结构和磁学性质,尤其是1/3磁化平台进行了系统地研究。该化合物在结构上具有准一维的特征,基于粉末X射线衍射数据的晶体结构解析表明,该化合物结构中包含平行于c轴方向的Cr Se2线性链。磁性测量揭示了此化合物具有明显的磁各向异性,a轴为易磁化轴。Rb2Cr Se2具有TN=5 K的反铁磁转变温度,当在TN以下施加沿易磁化轴方向的外磁场时,M-H曲线上表现出1/3磁化平台和饱和磁化平台,标志着场致磁相变的发生。分析不同条件下收集的中子粉末衍射数据,分别确定了基态反铁磁态、1/3磁化平台和饱和磁化平台对应的磁结构,从微观角度解释了各个磁状态。此外,磁性、比热及中子数据均表明Rb2Cr Se2拥有另一个T*=8.5 K的磁转变,初步判断这可能是一个无公度的磁有序。其次,我们对Rb2Cr Se2中的Rb进行K、Cs替换,研究了(Rb1-xAx)2Cr Se2（A=K,Cs,0≤x≤1）体系中晶胞参数和磁性的演变。从K到Rb再到Cs,化合物结构保持不变,晶胞逐步扩大,晶格常数及键长键角均为单调变化。磁学性质随替换量连续变化,两端化合物和Cs2Cr Se2的性质差异显著。在（xCsx）2Cr Se2（0≤x≤1）中,随着x的增加,磁性链间距逐步扩大,1/3磁化平台逐渐变窄,其宽度从Rb2Cr Se2中的50 k Oe减小为Cs2Cr Se2中的不到20 k Oe。在(Rb1-xKx)2Cr Se2（0≤x≤1）中,伴随x的增加,磁各向异性被削弱,1/3磁化平台迅速消失。我们推测Rb2Cr Se2中确定的磁结构可能仅适用于Cs2Cr Se2而不再适用于。(Rb1-xAx)2Cr Se2（A=K,Cs,0≤x≤1）体系提供了连续可调的结构参数和丰富可控的磁学性质,为研究准一维磁性尤其是1/3磁化平台提供了一个契机。在以上工作的基础上,我们首次合成了三个新的Th Cr2Si2型铬硫族化合物Cs Li Cr Se2、Rb Li Cr S2和Cs Li Cr S2,并研究了其结构、成相规律和自旋玻璃行为。在ALi Cr Ch2（A=Rb,Cs,Ch=S,Se）体系中,随着插层离子尺寸的减小,Cr/Li-Ch键长缩短,但是Rb Li Cr S2中的键长已接近已知Cr-S键长极小值,没有更多缩短的余地,故而更小尺寸的K+不能参与形成稳定的KLi Cr S2相。三个新化合物均具有符合热激活模型的半导体行为,导电能力随阴离子电负性的增强和晶胞的扩大而下降,具有各向异性的自旋玻璃转变。以往的研究表明在AM’MCh2（A为碱金属,M’为Li、Cu、Ag等,Ch为硫属元素）体系中,自旋玻璃行为主要取决于晶胞参数,而在我们研究的A(Li1-xCrx)2Ch2（0.45≤x≤0.55）体系中,自旋玻璃转变温度与Cr含量x成正比,与晶格参数无关。这一结果丰富了对AM’MCh2体系磁性的认知。最后,我们系统地研究了Sr Cr2As2中Co掺杂对样品电输运性质的影响。在Sr(Cr1-xCox)2As2（0≤x≤1）中,可以通过控制掺杂量实现TCR在大范围内的连续可控调节,并且Sr(Cr0.2Co0.8)2As2拥有近零电阻温度系数（TCR）。进一步,我们发现磁性掺杂对型化合物Ae M2As2（Ae为碱土金属,M为3d过渡族金属）电输运性质的影响是普遍的。