论文部分内容阅读
真空单源共蒸法在玻璃衬底上制备Zn掺杂SnS薄膜,对薄膜进行不同条件热处理(氮气保护).用X射线衍射仪、原子力显微镜、手动轮廓仪、光电子能谱仪、紫外—可见分光光度计、台式繁用表等方法对薄膜物相结构、表面形貌、光、电性能等进行测试表征.实验结果显示：用Sn：S混合粉末为1：0.8(at%)蒸发沉积的薄膜,经350℃热处理40min后可获得空间群为Pcnm(53)简单正交晶系SnS多晶薄膜,晶粒沿(004)晶向择优生长.按同样锡硫配比掺Zn(2wt%、4wt%)后,经300℃处理40min得