在某些精密仪器、导航等系统中,通常会用到高精密的DA转换器,为了提高噪声容限和转换器精度,这些DA转换器需要高精密的±10V电压基准。由于受到加工工艺的限制,片内集成的电压基准的精度和温度稳定性无法满足系统需求,此时需要外接的电压基准用作参考。但高精度的电压基准通常是正输出的电压基准,正负基准通常是采用分离器件的方式,整体解决方案体积较大,成本较高。在设备仪器日益小型化的发展趋势下,传统分离器件的解决方案已无法满足需求。针对上述问题,本文讨论一种单片集成的正负基准实现方案,主要包含以下内容:1.研究目前国内外单片集成高精密电压基准的主流技术和实现方案,并对各种实现方案的优劣进行对比。2.研究常规采用分立器件实现正负基准的设计方案,并基于集成电路工艺的实现为主要的研究对象,主要包含以下研究内容:单片集成±10V电压基准和特点和参数指标要求,提出基于双极型单片工艺实现的线路总体结构和解决方案。3.研究单片集成±10V电压基准内部核心电压基准核以及运算放大器的设计。4.分析单片集成±10V电压基准的工艺特点,并对该产品的版图和修调方案进行分析。5.流片情况及测试结果分析。