碳纳米管场效应晶体管相关论文
随着摩尔定律与纳米技术的发展,晶体管的尺寸越做越小,以硅基材料作为导电沟槽的性能几乎被用尽。基于扫描电子显微镜中的纳米操作......
信息处理系统由于基础半导体技术遭遇“摩尔定律接近终结”和现行计算架构(冯·诺依曼架构)缺陷所导致的瓶颈,其发展受到严重挑战.......
由于硅器件尺寸不断缩小至纳米尺度，人们因此对纳米尺度器件开展了理论与结构方面的广泛而深入的研究，其中最重要的纳米尺度器件是基......
综述了碳纳米管场效应晶体管（CNTFET）的主要结构和导电沟道的制备工艺，如AFM探针操控、CVD原位生长、交流介电泳和L-B大面积操控排布......
碳纳米管(carbon nanotubes,CNTs)自从1991年被发现以来,因其优异的力学、化学和电学性能受到了广泛的关注,被认为在很多领域都有......
迄今为止,现有的晶体管都是基于PN结或肖特基势垒结而构建的。在未来的几年里,CMOS制造技术的进步将导致器件的沟道长度小于10nm。......
查表模型是目前硅基CMOS超大规模集成电路设计中普遍采用的一种器件建模方法,由于它直接采用实验测得的单个器件的电学特性曲线建......
学位
碳纳米管自被发现以来，由于其性能优越，正被应用于越来越多的领域中，尤其在纳米电子学领域，更有广泛的应用前景。越来越多的研究表明：在......
