要制作一个高效的硅基顶发射有机电发光器件,必须满足以下几个条件:(1)要有低的开启电压;(2)要有稳定的透过率高的半透明阴极;(3)底电极要有高反射率。我们分别对以上三个方面进行了研究和讨论,并根据理论分析及对实验所制备的器件进行比较确定了硅基顶发射有机电发光器件的阳极、阴极及空穴注入层材料,即采用经紫外臭氧表面修饰(2Ag(s)+O3(g)→Ag2O(s)+O2(g))的银作为阳极,m-MTDATA作为空穴注入层, LiF/Al/Ag复合结构作为阴极,制作了器件结构为Si/SiO2/Ag(45nm)/Ag2O/m-MTDATA(45nm)/NPB(5nm)/Alq(50nm)/LiF(1nm)/Al(2nm)/Ag(20nm)的硅基顶发射器件,这种结构使得器件的开启电压大大降低,并极大地提高了器件低压下的亮度。我们对LiF/Al/Ag复合半透明阴极结构进行改进,设计出了Al (2.5nm)/Ag (0.5 nm)/Al (1 nm)/Ag (0.5 nm)/Al (0.5 nm)/Ag (11 nm)多层阴极结构,并在其上覆盖了78 nm厚的Alq3薄层作为增透膜,用这种阴极结构制备的顶发射有机电发光器件有效地改善了光的耦合输出,并且具有这种多层阴极结构的器件和具有普通阴极结构Al (4 nm)/Ag (12nm)的器件相比,其亮度在7V到21V内增加了1.9-3.1倍。