【摘 要】
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在中国首次采用颗粒硅带制备技术和快速热化学沉积技术,进行低成本颗粒硅带衬底上多晶硅薄膜电池研究.采用高温路线下,以SSP(Silicon sheets from powder)硅带为衬底,开展SSP
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在中国首次采用颗粒硅带制备技术和快速热化学沉积技术,进行低成本颗粒硅带衬底上多晶硅薄膜电池研究.采用高温路线下,以SSP(Silicon sheets from powder)硅带为衬底,开展SSP硅带直接外延多晶硅薄膜电池和SSP硅带隔离层上多晶硅薄膜太阳电池的有关工艺、相关理论的研究.主要研究内容和结果如下:首先采用SSP晶化生长技术制备了SSP硅带.进一步对颗粒硅带的制备工艺进行了新的尝试.结果表明SSP硅带的表面质量得到了显著的改善,硅带表面非常平滑、表面粗糙度小,其TIR值在4微米左右,晶粒尺寸有所增大.以SSP硅带为衬底进行多晶硅薄膜的沉积.设计出SSP硅带衬底上直接外延多晶硅薄膜电池的结构和工艺流程;采用RTCVD法及标准的电池工艺在SSP硅带衬底上制备外延多晶硅薄膜电池.首次对直接外延多晶硅薄膜电池的EBIC特性进行了分析,特别是对晶粒间界的少数载流子复合行为进行了定性的描述.在中国首次开展SSP隔离层上多晶硅薄膜电池制备研究.
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