碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料,有着宽禁带宽度、高击穿电场、高热导率等特点,是发展大功率、高频高温以及抗强辐射等技术的关键。电子器件在空间环境工作期间,会受到空间辐照粒子以及射线的影响,导致器件性能退化,从而影响航天器在轨服役的可靠性。迄今为止针对碳化硅功率器件的中子位移损伤研究较少,且研究对象主要集中在对辐照前后电学特性变化的描述。本文基于上述背景,针对碳化硅肖特基二极管以及场效应晶体管开展了中子辐照位移损伤效应研究,利用微观物理模型揭示了中子辐照损伤碳化硅器件的物理机制,通过新型表征手段深入分析了中子辐照前后器件内部参数的变化,揭示了中子位移损伤效应对碳化硅的器件的损伤机理。论文主要研究内容和研究结果有:（1）开展了碳化硅场效应管（MOSFET）、肖特基二极管（SBD）以及结势垒肖特基二极管（JBS）的中子辐照实验,通过对比器件在辐照前后的电学特性,得出中子辐照损伤碳化硅器件的损伤规律。中子辐照后碳化硅MOSFET器件跨导降低、饱和漏电流降低并且导通电阻上升,根据敏感参数表达式,分析认为中子辐照位移损伤导致了器件有效掺杂浓度降低以及沟道载流子迁移率降低。中子辐照后碳化硅SBD和JBS器件正向压降上升、反向漏电流下降并且电容下降,中子辐照影响了金属/碳化硅处的肖特基接触,从而导致了二极管电学性能的退化。（2）针对碳化硅MOSFET器件开展了不同偏置条件下的辐照实验,设置了MOSFET器件的不同工作状态下的中子辐照实验。实验结果表明,在开态状态下器件辐照前后栅泄漏电流退化最为明显,根据F-N隧穿机制可知栅极在施加电压情况下,沟道电子隧穿进入氧化层,最终造成栅氧化层损伤。在关态状态下,器件的跨导以及饱和漏电流退化最为明显,这说明在高场应力下,电子不仅会被器件表面陷阱和材料体陷阱俘获,而且高能电子在器件中触发产生新的缺陷陷阱,进一步增大器件性能的退化。（3）采用了两种新型的表征手段:1/f低频噪声测试方法和深能级瞬态谱技术（DLTS）表征了碳化硅器件的退化情况。中子辐照后Si C MOSFET器件以及SBD器件噪声均发生了上升,分析MOSFET噪声器件上升的原因是中子辐照发生了位移损伤效应在Si C/Si O2近表面的界面缺陷（碳空位缺陷）,而SBD器件噪声的上升是中子辐照位移损伤效应造成载流子迁移率下降导致的。根据JBS器件的DLTS测试结果可知,中子辐照后器件内部产生了两个缺陷能级,通过Arrhenius公式确定了每种缺陷的种类以及物理机制。