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AgInxSy作为三元半导体的一种,以其良好的生物相容性、优异的光学性能以及独特的形状与尺寸,在发光二极管、激光领域、太阳能电池以及生物标记等领域有着广泛的关注与应用。在光催化应用领域,AgInxSy有着窄的禁带宽度,对可见光的吸收明显优于当前广泛研究的TiO2催化剂;同时,由于不含有毒元素,AgInxSy用于量子点（QDs）的研究日益受到关注。本文以AgInxSy为研究目标,探讨其在光催化以及量子点检测领域的应用。通过“一锅法”合成AgInxSy光催化剂,并引入不同量的Zn2+,得到Zn/AgInxSy光催化剂,并通过XRD、XPS、SEM等表征分析手段对所制备的催化剂进行分析。采用罗丹明B（RhB）、对硝基苯酚、头孢氨苄为模型污染物,使用1000 W（用滤光片滤去波长小于420 nm的光线）卤钨灯模拟可见光光源,在自制光催化箱里考察催化剂的可见光催化降解活性。实验结果表明,在加入Zn2+的比例超过5:12（Zn:In）时,所制得的样品逐渐从面心立方相的AgIn5S8转变成正交相的AgInS2,Zn2+的掺杂改善了AgInxSy的规整性、分散性、对可见光的吸收以及光生电荷的分离程度。当Zn与In比例达到4:13时,所制得的样品光催化活性最高,在60 min内可完全降解Rh B。同样条件下使用该样品降解头孢氨苄,可见光照射120 min,降解效率可达62%。在相同实验条件下加入不同的活性物种捕获剂,根据加入捕获剂前后降解效率的差异,推测AgInxSy和Zn/AgInxSy降解污染物过程中的活性物种;通过固体紫外-可见漫反射光谱确定带隙,通过电化学实验测得催化剂的半导体类型以及平带电位的位置,以此探讨AgInxSy和Zn/AgInxSy的可见光催化降解机理。实验结果表明:AglnxSy在降解Rh B的过程中主要活性物种为·OH,而Zn/AgInxSy降解Rh B、头孢氨苄过程中的主要活性物种是·O2-;AgInxSy的带隙为1.61 eV,平带电位为-0.60 V,而Zn/AgInxSy的带隙为1.45 e V（Zn:In=4:13）,平带电位为-0.55 V,Zn2+的掺杂,减小了AgInxSy的带隙,提高了AgInxSy对可见光的吸收,改变了AgInxSy降解污染物的机理。采用水相合成法合成了水溶性的AgInS2QDs,在制备过程中引入Zn2+,考察Zn2+的引入对AgInS2 QDs荧光强度的影响。通过XRD、XPS和HRTEM分析其组成和形貌。以AgInS2 QDs为荧光探针,分别加入不同浓度的头孢氨苄和头孢克肟,考察对AgIn S2 QDs的荧光猝灭程度,根据实验结果建立了AgInS2 QDs检测头孢氨苄和头孢克肟浓度的方法。结果表明,在引入的Zn2+与In3+的比例为0.02:1时,所得到的AgIn S2QDs的荧光强度最高,检测头孢氨苄的线性范围为1-20μg/m L,检测限为0.45μg/m L,加标回收率在97.38%-102.00%之间;检测头孢克肟的线性范围为1-10μg/m L,检测限为0.15μg/m L,加标回收率在96.67%-104.17%之间。头孢氨苄和头孢克肟猝灭AgInS2 QDs荧光的机理相同,均为药物分子与AgInS2 QDs发生碰撞产生的动态猝灭。