【摘 要】
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近年来宽带隙半导体SiC一维纳米材料已经引起了人们极大的研究兴趣,成为低维材料科学领域的重要研究热点之一。这些SiC一维纳米材料由于自身独特的形貌特征及优异的性能使其在光、电、磁以及力学等方面具备广泛的应用前景。本文详细研究了采用化学气相反应法合成不同形貌SiC一维纳米材料的工艺条件以及产物的微观形貌、显微结构、生长机理,初步探索了链状SiC一维纳米结构的拉曼光谱及荧光光谱特性。主要结论如下:选用
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近年来宽带隙半导体SiC一维纳米材料已经引起了人们极大的研究兴趣,成为低维材料科学领域的重要研究热点之一。这些SiC一维纳米材料由于自身独特的形貌特征及优异的性能使其在光、电、磁以及力学等方面具备广泛的应用前景。本文详细研究了采用化学气相反应法合成不同形貌SiC一维纳米材料的工艺条件以及产物的微观形貌、显微结构、生长机理,初步探索了链状SiC一维纳米结构的拉曼光谱及荧光光谱特性。主要结论如下:选用球磨处理的Si-SiO2混合粉体及高纯CH4为反应物,以自制石墨模具作为反应室,在立式真空可
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