【摘 要】
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ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料，属于六方纤锌矿结构。ZnO在光电、压电、热电、铁电等诸多领域都具有优异的性能，但是最具潜力的应用是在光电器件领域。ZnO的禁带宽度宽，室温下为3.37 eV，激子结合能为60 meV，远高于其它宽禁带半导体材料，如GaN为25 meV。ZnO激子在室温下也是稳定的，可以实现室温或更高温度下高效的激子受激发光。此外，将ZnO与MgO形成ZnMgO合金薄膜，
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ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料，属于六方纤锌矿结构。ZnO在光电、压电、热电、铁电等诸多领域都具有优异的性能，但是最具潜力的应用是在光电器件领域。ZnO的禁带宽度宽，室温下为3.37 eV，激子结合能为60 meV，远高于其它宽禁带半导体材料，如GaN为25 meV。ZnO激子在室温下也是稳定的，可以实现室温或更高温度下高效的激子受激发光。此外，将ZnO与MgO形成ZnMgO合金薄膜，可以通过调节Mg含量达到调节ZnMgO合金半导体薄膜禁带宽度的目的。所以，ZnO在短波长光电器件领域有着
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