本文选取Ba_6-3x(Nd_1-yBi_y)_8+2xTi₁₈O₅₄ （x=2/3,0≤y≤1） （BNTB）系统陶瓷作为研究对象,通过添加烧结助剂来降低系统的烧结温度,旨在研制一种能够低温烧结的高频陶瓷材料。研究了A位离子取代、烧结助剂和工艺参数对BNT系统陶瓷的晶相组成、微观结构和介电性能的影响。主要研究内容及实验成果如下:一、以Bi₂O₃为添加剂,采用Ba6 3x（Nd1 yBiy）8+2xTi18O54（x =2?3）通式,研究了晶体微观结构与陶瓷体系介电性能之间的关系。随着y值增大,BNT系统介电常数增大,介电损耗增加,-55℃的温度系数向负方向变化,而125℃的温度系数则向正方向变化。经研究表明Bi3+在BNT系统中的固溶度为15%,当y值大于0.15时BNT系统中将出现第二相Bi4Ti3O12,Bi4Ti3O12具有较高的介电常数使得系统的介电常数增加。当y值小于0.15时BNT系统中没有第二相出现,Bi3+离子半径与Nd3+离子半径相近,故Bi3+取代部分Nd3+离子或进入空置的空隙较大的A1和A2位置使得系统由未填满的钨青铜结构向填满的钨青铜结构转变,随着Bi3+含量增大,晶胞体积变大,Ti4+自发极化作用增强。体系内部结构系数的变化也起到了加强内电场的作用,所以随着y值的增大系统的介电常数增加。而介电损耗增大的主要原因为增强的极化作用消耗了更多的电场能。二、通过向BNTB体系中添加GB玻璃降低系统的烧结温度。当GB玻璃添加量为10%时陶瓷样片可以在910℃烧结致密。向系统中添加低熔点的GB玻璃后,在烧结过程中,玻璃添加剂所形成的液相能够润湿晶粒,促进物质扩散,能够有效的促进烧结,降低系统的烧结温度。三、实验过程中得到了性能优异的微波介质陶瓷材料,其性能如下所示:≈77, tg =0.7×10^-4（测试频率为1MHz） c=±20ppm/℃（添加剂为Bi₂O₃）1200℃烧结。≈80, tg =1.0×10^-4（测试频率为1MHz） c=±15ppm/℃（添加剂为Bi₂O₃）1200℃烧结。≈87, tg =1.3×10^-4（测试频率为1MHz） c=±30ppm/℃（添加剂为Bi₂O₃）1200℃烧结。≈54, tg =2.3×10^-4（测试频率为1MHz）, c=±20ppm/℃（添加剂为GB玻璃）910℃烧结。