该文使用分辨象、电子衍射、电子能量损失谱、能谱等多种电子显微术方法,对电子束下低维Bi的动态结构行为以及WS<,2>纳米管生长机制进毯子研究.获得的主要研究成果如下:1、低维Bi结构在电子束下表现出动态的结构行为.几纳米~十几纳米的Bi颗粒的结构不断地变动;十几纳米Bi颗粒表面原子直接蒸发;Bi颗粒原子柱跳动;几十纳米快状Bi的表面形貌不断波动.从势能的角度对这些现象作了一些解释:颗粒短暂时间里存在的亚稳态构型对应势能的局部极小值,Bi的存在尺寸和基底影响势垒的高低,是孱束的作用提供克服势垒的能量.电子束提供的一能量和势垒之间的交互作用,使纳米Bi颗粒展现出不同的结构现象.2、根据电镜观察的结果,认为液相法制备WS<,2>纳米管的反应中并存着WS<,2>片卷曲机制和WO<,3-x>线表面硫化机制.前者主要形成空心SW<,2>纳米管和包裹WO<,3-x>纳米线的多层WS<,2>纳米管,后者主要形成WO<,3-x>纳米线外包裹一两层WS<,2>的结构.