在常规能源日益枯竭的今天，开发利用可再生能源已经成为各国的研究热点。太阳能做为一种洁净的可再生能源具有洁净、无污染等特点，因而极具应用价值。太阳电池可以直接将光能转化为电能，是目前利用太阳能的主要手段之一。其中晶硅薄膜太阳能电池作为第二代太阳电池的代表具有广阔的应用前景。晶硅薄膜太阳电池中普遍采用透明导电膜作为电极材料。目前常用的透明导电膜有：ITO、SnO₂：F、ZnO：Al等。其中ZnO：Al（又称AZO）具有无毒、无污染、低成本等特点被视为晶硅薄膜电池理想的电极材料。在本文中我们围绕本实验组多晶硅薄膜太阳电池的研究工作，利用电子束蒸发的方法在普通玻璃衬底上制备了AZO透明导电膜。分析了掺杂量、衬底温度对电子束蒸发制备AZO薄膜光电性能的影响。并分别利用磁控溅射、电子束蒸发制备了晶硅薄膜电池背表面的电极。利用扫描电子显微镜、X射线衍射、标准四探针、紫外可见光近红外分光光度计、Ⅰ-Ⅴ特性测试仪等实验手段分析了所制备电极材料的表面形貌、结晶情况、电学性质、光学性质以及背电极与N型Si：H膜的接触特性。结果表明：（1）衬底温度为200℃，掺Al₂O₃量为2.5％w/w时，电子束蒸发法制的AZO薄膜电阻率最低可达5×10^-3Ωcm。可见光范围内平均透过率为85％。（2）与磁控溅射方法制备的AZO薄膜相比，电子束蒸发制备的AZO与N—Si：H的接触电阻较小。可见光范围内的复合反射率较高。对N型Si：H无损伤。