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钯-硅体系具有良好的电学性能,在纳米级别的异质接触节可作为下一代电子器件基本结构单元的候选。另外,钯可作为良好的催化剂,当团簇尺寸在原子级别时具有更优的催化性能。因此,研究钯在硅表面的纳米结构和性能对催化机理的研究以及最终实现催化芯片等方面具有实际意义。本文在超高真空环境下,利用分子束外延方法,在室温和较低沉积速率(~0.01ML/min)的条件下,研究了钯在Si(111)-7×7重构表面沉积生长,用扫描隧道显微镜观察到了大小均一的钯原子团簇在重构表面台阶边缘呈现择优分布。对