【摘 要】
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鉴于传统熔丝的制造工艺与目前标准CMOS逻辑制造工艺不兼容,已成为制约集成电路发展的重要问题,因此,新兴的电子可编程熔丝efuse取代传统熔丝,成为该领域的研究热点。本文详
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鉴于传统熔丝的制造工艺与目前标准CMOS逻辑制造工艺不兼容,已成为制约集成电路发展的重要问题,因此,新兴的电子可编程熔丝efuse取代传统熔丝,成为该领域的研究热点。本文详细介绍电子可编程熔丝的工作原理,并分析影响其性能及可靠性的相关因素;设计了三种efuse外围电路;然后在此基础上,对整体电路以及关键部件参数进行仿真验证;最后基于SMIC 0.13μm标准CMOS工艺进行版图设计并流片测试。经过流片,对efuse的可靠性和efuse电路两方面测试结果表明:efuse在HTS测试中坏点率为150PPM(225oC,250hrs);DTC测试中坏点率仅为3PPM(-65oC～150oC,500 cycles)且具有耐温耐压的特性。三种efuse外围电路经过测试对比,最后选择第一种efuse电路作为最终电路,其中在3.3V、1μs的条件下,编译后的所有熔丝都达到10K?以上;在3.63V、1μs的条件下,编译熔丝达到50K?以上。
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