近年来,关于磁性存储器件的研发受到了人们的关注,其中基于磁畴壁运动的研究也是目前的热点。机械硬盘和固态硬盘是目前比较常见的信息存储方法,而通过磁畴移动来存储信息,原理有别于机械硬盘和固态硬盘。机械硬盘通过磁盘的高速运转然后以磁头读写信息,其读写速度较慢,且受限于磁盘的机械运动。而固态硬盘虽然读写速度较快,但其使用的flash闪存颗粒寿命有限,其读写次数有限制,且价格比较高。通过磁畴的运动来读写信息,则既不受限于磁盘的机械运动,又不受限于flash闪存颗粒的寿命。如何稳定快速地驱动磁畴壁在磁性存储材料中运动,就成了需要解决的热门问题。在过去的研究中,通过电流和自旋波驱动磁畴运动的研究已经比较成熟,但是其中依旧存在许多不足。比如电流驱动时会有Walker breakdown、焦耳热和某些畴壁的失真,而自旋波驱动物理机理认识还有争议。为了提高存储密度,将存储器做成三维的结构,此时畴壁在外场驱动下的三维结构中的运动人们还没有很好的认识。本文采用基于LLG（Landau-Lifshitz-Gilbert）方程的微磁模拟方法,研究了自旋波与畴壁之间可能发生的相互作用,并且研究了外场驱动畴壁在U型纳米线中的运动情况。第一章我们介绍了磁存储技术的发展进程和当前的主要相关问题,畴壁的相关背景知识,以及驱动畴壁进行运动的一些方法,最后简单介绍了场驱动畴壁运动的研究进展和存在问题。第二章介绍了本论文的理论计算方法,描述了经典的自旋动力学方程（Landau-Lifshitz-Gilbert方程）、有效场的计算和模拟步骤,并进一步介绍了包括自旋转移力矩的拓展的LLG方程。第三章我们研究了自旋波和多畴壁之间的相互作用,发现TWVW结构在自旋波作用下可转变为TWTW结构（即360°壁）或完全湮没,取决于自旋波的频率和振幅。相比之下,多TWs（STWs）结构显示出良好的鲁棒性。即与单个TW类似,STW可以通过自旋波一致驱动。另一方面,其相移总是随着TWs的数量线性增加,并且可以与TW模式相同的频率下共振增强。其诱导的STW运动和由STW控制的相移在未来信息存储与读取中有潜在的应用意义。第四章研究了U型磁纳米线中外场驱动磁畴壁移动性质与U型弯曲之间的关系。结果表明:磁纳米线的U型弯曲阻碍着电流驱动磁畴壁的移动,其弯曲处移动速度的减小随着其弯曲半径的减小而增大另一方面,自旋波的加入能促进电流驱动磁畴壁的移动。其中,自旋波驱动磁畴壁移动的速度随其振幅的增加线性增加,而随其频率的增加是多峰的非单调性关系。进一步地在磁纳米线U型弯曲处附加合适的自旋波能完全消除其弯曲迟缓电流驱动磁畴壁的移动,以保障电流驱动磁畴壁在弯曲磁纳米线中的匀速平稳移动,进而实现三维赛道存储器（Racetrack Memory）技术的可靠发展。