随着雷达探测技术的发展,飞行器的隐身性能成为影响其安全性以及战场生存与突防能力的关键因素。此外,伴随飞行速度的提高,飞行器受到的气动加热效应加剧,雷达波吸收材料在追求“轻、薄、宽、强”的同时,还具有耐高温和抗氧化的特点,碳基吸波材料和磁损耗型吸波材料已无法满足应用要求。碳化硅纳米线(SiCnw)具有优异的力学、抗氧化和热稳定性能,被认为是最具前景的高温吸波材料。然而,作为一种半导体材料,SiCnw的损耗机制单一、电导率偏低、介电损耗不足,吸波性能已无法满足应用要求。针对上述问题,本文提出利用SiCnw搭接成三维网络,增强其电导损耗,进一步优化其吸波性能,并以上述SiCnw为吸波剂和增强体,制备出兼具耐高温、吸波、承载功能于一体的复合材料,具有重要的理论和应用价值。本论文以铁为催化剂,碳纤维为反应基底,利用SiO与碳纤维反应生成SiC纳米线并自发地搭接成网络体,研究了温度、保温时间和催化剂用量对SiCnw的影响。结果表明,2H-SiC同碳化硅纳米线中的堆垛层错的生成密切相关,堆垛层错又与催化剂用量和保温时间密切相关。随制备温度的升高、催化剂含量的增加和保温时间的延长,堆垛层错密度均降低。SiCnw的生成量受到反应温度、催化剂含量以及保温时间三个因素的影响。其中,随着保温时间延长、催化剂含量的增加以及温度的提高,SiCnw的生成量增加。催化剂用量是影响SiCnw形貌的重要因素。当催化剂用量小于1000ppm/L时,SiCnw的长径比较高。当催化剂用量大于1000ppm/L时,SiCnw的生长受到抑制,长径比降低,生成团簇结构。保温时间对SiCnw的长度和弯曲程度有较大影响。随着保温时间的延长,SiCnw的长度增加,同时SiCnw的弯曲度增加。以碳化硅纳米线网络体为增强相与吸波剂,磷酸铝为基体制备吸波承载复合材料。结果表明SiCnw制备工艺对吸波性能有着重大影响。随反应温度的提高,SiCnw生成量增加,对电磁波的耗散能力提高,但阻抗匹配性能下降。随SiCnw保温时间增长,Cole-Cole图像逐渐由半圆形转化为直线形,说明较长的SiCnw容易形成导电网络,使得损耗机制逐渐转为电导损耗。通过对制备工艺的优化,获得了综合性能最优的吸波材料,其SiCnw的三维网络体制备工艺如下:1400℃保温2h,催化剂100ppm/L。其SiCnw/Al PO4复合材料性能为厚度为3.4mm时,材料的最低反射率达到-46.4d B（17.12GHz）,有效吸收频带达到7.84GHz（7.28GHz至9.6GHz和12.48GHz至18GHz）。