IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为新型电力电子器件的代表,是一种由MOSFET和双极晶体管结合而成的达林顿结构。它既具有MOSFET的高输入阻抗、控制功率小、驱动电路简单、开关速度高、开关损耗小的优点,又具有双极功率晶体管的电流密度大、饱和压降低、电流处理能力强的优点,在高压、大电流、高速三方面是其他功率器件不能比拟的,是电力电子领域理想的开关器件。由于IGBT是电力电子器件,其在大功率下工作时会产生大量的热,这将直接影响到IGBT的热特性,进而导致其工作寿命的缩短或烧毁,同时对周围的器件也会产生影响,使有的设备、组件和元器件不能正常工作。因此,本文对IGBT的热特性进行了测量与研究。　　 首先本文在对IGBT的结构、特点、工作原理进行深入了解的基础上对其电参数的温度特性进行了测量与分析。IGBT输出特性曲线的线性区面积随着温度的增加而增加,相同栅压时,高温下的IGBT需要更大的集电极电压才能工作在饱和状态;转移特性、阈值电压和通态压降呈现负温度特性;正向漏电流呈现正温度特性。　　 其次本文采用半导体器件热阻的常用测量方法(电学参数法和红外扫描法)对IGBT的热阻进行了测量,从测量结果中发现:1)IGBT的热阻随着功率的增加而缓慢增加;2)通过热阻测量可以区分同批次同型号IGBT散热能力的好坏;3)通过测量IGBT的热特性曲线,可以区分器件热阻的构成,进而通过对比可以得知器件焊料层质量的好坏,为IGBT的优化设计提供了便捷途径。　　 最后本文选取小信号下,栅-集电极短路时的集电极-发射极电压作为热敏感参数,以此设计出一种IGBT热阻测量方法,并设计出IGBT的热阻测试系统。