【摘 要】
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本文对1.054μm宽带激光器组件的研制过程进行了论述。在对量子阱和应变量子阱的能带结构、态密度、临界厚度、光谱线宽和调制带宽进行理论分析基础上，重点讨论了器件的结构参
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本文对1.054μm宽带激光器组件的研制过程进行了论述。在对量子阱和应变量子阱的能带结构、态密度、临界厚度、光谱线宽和调制带宽进行理论分析基础上，重点讨论了器件的结构参数、材料参数设计，特别是波长的计算和对波长的控制，并在现有的设备条件下，设计了工艺流程，重点分析了器件的脊形制作、欧姆接触和烧结压焊工艺，对工艺条件进行了优化，最后分析了器件的可靠性，给出了器件的主要特性及分析。该器件结构采用InGaAs/GaAs梯度折射率分别限制（GRIN-SCH）脊形波导（RWG）应变单量子阱。有源层In组分x为0.35，阱厚d_w为5.5nm。包层A1组分y为0.65，厚度0.45μm。脊形波导条宽3μm，高0.5μm。光电参数为：波长1.054μm±0.001μm，输出功率大于0.5mW，光谱宽度小于2nm，调制带宽大于3GHz。该器件填补了国内空白。
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