分别限制结构相关论文
计算了半导体激光器的激射波长与量子阱宽度以及有源层中In组分的关系,确定了941nm波长的量子阱宽度和In组分.并利用金属有机化合......
利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs分别限制应变单量子阱激光器工作物质.利用它制成半导体激光器线阵列,其......
利用LP-MOCVD生长InGaAsP/InGaP/GaAs SCH-SQW结构,制作了宽接触条形激光器,研究发现微分量子效率在中等腔长范围内有极大值;腔长......
利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料.利用该材料制成半导体激光器线......
介绍了研究分别限制结构的（ＳＣＨ）ＩｎＧａＡｓＰ－ＧａＡｓ半导体激光器所得到的最新成果。利用引进的俄国技术，基于量子阱（ＱＷ）结构的ＩｎＧａＡｓＰ－ＧａＡｓ激光器，可用短时间液相外延（ＬＰＥ）技术制造......
利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs分别限制应变单量子阱激光器工作物质。利用它制成半导体激光器线阵列,......
InGaAs/GaAs应变量子阱激光器具有级低的阈值电流密度、较高的特性温度和较高的光学灾变损伤阈值，这使得激光器具有更高的输出功率......
本文对1.054μm宽带激光器组件的研制过程进行了论述。在对量子阱和应变量子阱的能带结构、态密度、临界厚度、光谱线宽和调制带宽......
