本文采用建模方法，针对微波频率下的应用，建立了器件性能参数（包括有效介电常数、加载后传输线特征阻抗、插入损耗等）和BST材料参数（包括介电常数、薄膜厚度、介电损耗等）之间的关系，并具体设计了一种基于BST薄膜、采用周期性分布式加载的移相器。 通过对移相器周期性分布式加载结构的分析，发现移相器的移相度和单元可变电容的变化率有关。目前MEMS可变电容单元采用的介质基本上是氮化硅。BST薄膜作为一种性质优良的介电材料，其介电常数远大于氮化硅。从MEMS移相器开关性能的几个关键指标出发，本文探讨了在MEMS移相器开关中，用BST薄膜代替氮化硅介质的可行性。并且，考虑到桥膜弹性系数是影响BST-MEMS开关启动电压的重要参量，本文还对桥膜弹性系数进行了具体计算。通过对BST-MEMS开关进行静态力学分析，发现目前普遍使用的桥膜弹性系数计算公式未考虑开关实际采用的共面波导结构。在考虑桥膜上实际的静电力分布后，修正了桥膜弹性系数的计算公式，并根据修正后的计算公式，进一步探讨了减小桥膜弹性系数的方法，以降低开关的启动电压。